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J-GLOBAL ID：200903029481374140

レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor： 勝山 亜希子 ,  遠藤 政孝 ,  笹子 勝 ,  浦野 文良 ,  左右木 徹
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社 ,  和光純薬工業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993191121
Publication number (International publication number)：1995043903
Application date： Aug. 02, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 パターンの正確度及びパターン寸法の制御性の優れた化学増幅型レジスト材料を提供する。【構成】 レジスト材料を、酸によりアルカリ水溶液に対する溶解性が変化する樹脂組成物と、紫外線又は遠紫外線の照射で吸光度が低下すると同時に酸を発生する吸光度変化性酸発生剤とを含むものとする。あるいは、樹脂組成物に加えて、紫外線等の照射によって酸を発生する酸発生剤と、吸光度が低下する色素化合物とを含むものとする。このレジスト材料を基板上に塗布し、紫外線等の照射などの処理を行ってパターンを形成すると、樹脂組成物の溶解性の変化に必要な酸を発生させるに十分な露光を与えることにより、露光中に退色反応が進行するため、初期透過率の低いレジストを用いても解像性の低下がなく、定在波,ハレーション等の基板からの反射の影響を抑制し、正確なパターンが形成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板等の基板上に塗布され、所定のパターンを形成するためのレジスト材料であって、酸の存在により反応して、アルカリ水溶液に対する溶解性が変化する樹脂組成物と、所定波長の紫外線又は遠紫外線の照射を受けて、上記所定波長の紫外線又は遠紫外線に対する吸光度が変化すると同時に上記樹脂組成物の反応を誘起し得る酸を発生する吸光度変化性酸発生剤とを備えたことを特徴とするレジスト材料。

IPC (3)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 574