Pat

J-GLOBAL ID：200903029494918556

単一電子トンネルトランジスタ素子の製造方法

Inventor： 松井 俊之 ,  鈴木 健 ,  石井 孝志 ,  津田 孝一 ,  向江 和郎
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992074838
Publication number (International publication number)：1993283759
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】酸化物超電導体を用いたチャネル部の粒の均一形成を行う。【構成】基板の表面を凹凸処理したのち、その凹凸高さの2倍以下の膜厚の酸化物超電導体の膜を蒸着することにより、均一な擬似粒界を形成する。超電導体としては、例えばYBa2 Cu3 Ox を用い、基板は単結晶MgOで形成する。

Claim (excerpt)：

凹凸処理を施した基板表面上に、その凹凸の高さの2倍より薄い膜厚の酸化物超電導体の薄膜を形成し、その薄膜からなるチャネルをはさんでソース電極およびドレイン電極、チャネル上に絶縁体を介してゲート電極を設けることを特徴とする単一電子トンネルトランジスタ素子の製造方法。