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J-GLOBAL ID：200903029500908495

高周波スイッチ装置

Inventor： 林 宏明 ,  臼井 正則 ,  塚田 浩司 ,  田中 雄一
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999304044
Publication number (International publication number)：2000349502
Application date： Oct. 26, 1999
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低損失な高周波スイッチ装置を提供すること。【解決手段】半導体基板上に形成されたコプレーナ型の高周波スイッチ装置において、信号線路100とFET300間にコンデンサ400を形成して、信号線路100をコンデンサ400とFET300を介してグランド200に接続する。FET300のオフ時にはコンデンサ400とFET300の接合容量が直列接続となる。直列接続であるので、その合成容量はFET300の接合容量COより小となる。これにより、高周波信号の通過時のグランドへの漏洩が低減される。即ち低損失な高周波スイッチ装置となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に製造された高周波スイッチ装置であって、同一平面上に形成された信号線路とグランド間に、少なくとも2つの端子を具備する少なくとも1つの半導体素子を備え、該半導体素子をオン/オフすることによって高周波信号の遮断/通過を制御する高周波スイッチ装置において、前記半導体素子に直列に容量素子を形成し、通過時の損失を低減させたことを特徴とする高周波スイッチ装置。

IPC (5)：

H01P 1/15 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/861

FI (4)：

H01P 1/15 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/80 E ,  H01L 29/91 C

F-Term (25)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AZ01 ,  5F038AZ03 ,  5F038CA02 ,  5F038CA12 ,  5F038CD03 ,  5F038CD18 ,  5F038DF02 ,  5F038DF14 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA10 ,  5F102GA16 ,  5F102GA18 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GV08 ,  5J012BA04