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J-GLOBAL ID：200903029501611046

含フッ素フタロニトリル誘導体の製造方法

Inventor： 海江田 修 ,  奥村 康則 ,  伊東 秀記
Applicant, Patent owner： 株式会社日本触媒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992176633
Publication number (International publication number)：1994016615
Application date： Jul. 03, 1992
Publication date： Jan. 25, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 含フッ素フタロニトリル誘導体を高収率、純度良くかつ効率よく製造する方法を提供する。【構成】 3,4,5,6-テトラフルオロフタロニトリルをの求核置換体と、塩基性物質の存在下、有機溶媒中で反応させて(式中、X、YはO、Sを示す)の含フッ素フタロニトリル誘導体を製造する。求核置換体1モル部に対して、3、4、5、6-テトラフルオロフタロニトリルを少なくとも8モル部用いる。

Claim (excerpt)：

3,4,5,6-テトラフルオロフタロニトリルを下記一般式(I):【化1】(式中、Xは酸素原子または硫黄原子を表し、Yは酸素原子、硫黄原子、【化2】を示す)で表される求核置換体と、塩基性物質の存在下、有機溶媒中で反応させて下記一般式(II):【化3】(式中、Xは酸素原子または硫黄原子を表し、Yは酸素原子、硫黄原子、【化4】を示す)で表される含フッ素フタロニトリル誘導体を製造するに際して、該求核置換体1モル部に対して、3、4、5、6-テトラフルオロフタロニトリルを少なくとも8モル部用いることを特徴とする含フッ素フタロニトリル誘導体の製造方法。

IPC (7)：

C07C255/54 ,  C07C253/30 ,  C07C319/14 ,  C07C323/62 ,  B01J 27/12 ,  B01J 31/02 102 ,  C07B 61/00 300