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J-GLOBAL ID:200903029502745852

多層配線基板の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996229924
Publication number (International publication number):1998075062
Application date: Aug. 30, 1996
Publication date: Mar. 17, 1998
Summary:
【要約】【課題】有機多層配線基板の製造における工程の簡略化を図ることのできる多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】ビアホール2が形成され導体が充填された絶縁層1の表面に、金属箔上4にレジスト5を施しエッチング処理して形成された配線回路6を転写する工程を具備する多層配線基板の製造方法において、前記レジストの内、絶縁層のビアホール2と接続される配線回路6におけるレジスト5を導電性レジストによって形成することにより、レジストの除去、洗浄を行うこと必要がない。
Claim (excerpt):
ビアホールが形成され導体が充填された絶縁層の表面に、金属箔上にレジストを施しエッチング処理して形成された配線回路を転写する工程を具備する多層配線基板の製造方法において、前記絶縁層のビアホールと接続される配線回路におけるレジストを導電性レジストによって形成したことを特徴する多層配線基板の製造方法。
IPC (2):
H05K 3/46 ,  H05K 3/20
FI (3):
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/20 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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