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J-GLOBAL ID：200903029504153693

化合物半導体の気相成長装置及び気相成長方法

Inventor： 関 哲也
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992177898
Publication number (International publication number)：1994020955
Application date： Jul. 06, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【構成】化合物半導体の気相成長装置において、反応管外殻の水冷室を原料ガスの流れ方向に4分割以上する。そして両端を除いた水冷室に接する内殻で成膜を行い、成膜の間に反応部を取り巻く水冷室の冷却水を抜き、反応管の反応部周辺を加熱することにより内殻の壁面に付着した付着物を除去する。さらに反応部を移動させ上記操作を繰り返す。【効果】反応管交換サイクルが長くなるため、装置の高効率使用、危険作業の低減、また反応管取付直後の成膜の不安定性を減らすことが可能で、高品質、高歩留りで半導体基板の供給が出来る。

Claim (excerpt)：

横型でかつガラス製二重管を有し、該ガラス製二重管の外殻には冷却水を流し該ガラス製二重管の内殻の壁面を冷却する化合物半導体の気相成長装置において、該ガラス製二重管の外殻は横方向に4分割以上してなることを特徴とする化合物半導体の気相成長装置。