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J-GLOBAL ID：200903029516883000

半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

Inventor： 片岡 豊▲隆▼
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993123310
Publication number (International publication number)：1994310459
Application date： Apr. 27, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 基板上の電極材料をドライエッチングによりエッチングする場合も、ブレークダウン等の欠陥の生じない半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供する。【構成】 ?@基板上に電極材料を形成Iし、ドライエッチングIIによりパターニングした後に、必要に応じ酸化処理IIaを行い、更にN2 OやNH3 等の窒素化合物、またはHCl、Cl2 、トリクロロエタン等のハロゲン系化合物を含むガス雰囲気中において熱処理IIIを行う半導体装置の製造方法及び製造装置。

Claim (excerpt)：

基板上に電極材料を形成し、ドライエッチングによりパターニングした後に、窒素化合物またはハロゲン系化合物を含むガス雰囲気中において熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/784