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J-GLOBAL ID：200903029526353530

液体原料の気化方法および供給装置ならびにそれを用いて構成された半導体製造装置

Inventor： 新名 朋次 ,  大塚 正志
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995336301
Publication number (International publication number)：1997181061
Application date： Dec. 25, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 低濃度のドーパントガスを高精度に安定して供給する。【解決手段】 マスフローコントローラ5が高精度に流量制御を行える流量のキャリアガスを配管3に供給し、マスフローコントローラ5により所定の流量に制御したキャリアガスをソースタンク6に導入し、有機ボロンソースをバブリングにより気化させる。バブリングにより発生した高濃度のドーパントガスは、マスフローコントローラ4によって高精度に流量制御が行われた希釈用ガスと混合され、配管8に接続されたマスフローコントローラ9がCVD装置に設けられた反応室HRの所定の箇所に位置する半導体ウエハの表面に形成された絶縁膜の平坦化に最適な所定の流量に制御を行い、配管11を介して反応室HRに導入し、所定の処理を行う。

Claim (excerpt)：

液槽に貯められた液体原料をバブリング方式により気化する液体原料の気化方法であって、所定の流量のキャリアガスにより前記液槽内の前記液体原料をバブリングにより気化させ、高濃度の原料ガスを発生させる工程と、高濃度の前記原料ガスを希釈用ガスと混合させ、高濃度の前記原料ガスを所定の濃度の前記原料ガスに希釈させる工程と、所定の濃度となった前記原料ガスが所定の流量となるように流量制御を行い、被処理物に所定の処理を行う処理室に流量制御された所定の濃度の前記原料ガスを導入する工程とを有することを特徴とする液体原料の気化方法。

IPC (6)：

H01L 21/31 ,  B05D 3/00 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/223 ,  H01L 21/285

FI (6)：

H01L 21/31 B ,  B05D 3/00 Z ,  C23C 16/44 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/223 B ,  H01L 21/285 C