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J-GLOBAL ID:200903029539182408
多接合太陽電池
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
三好 秀和 (外8名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995210618
Publication number (International publication number):1997064386
Application date: Aug. 18, 1995
Publication date: Mar. 07, 1997
Summary:
【要約】【課題】 分光感度特性が改善され、高変換効率の直列接続型の太陽電池の構造を提供する。【解決手段】 Inx Ga1-x Pからなるトップセル1とGaAsからなるボトムセル2とをIny Ga1-y Pトンネル接合層33で直列接続したタンデムセル型太陽電池において、トンネル接合層を構成しているIny Ga1-y Pの格子定数を、このトンネル接合層を挟み込んでいる両側のInx Ga1-x Pの格子定数よりも小さくなるように組成xおよびyを選定しトンネル接合層中の不純物であるZnのしみ出しを防止し、高温熱工程の後においても所望の不純物プロファイルを達成し、良好なトンネル接合特性を得る。Iny Ga1-y Pトンネル接合を用いることによって分光感度特性も改善される。
Claim (excerpt):
GaAsボトムセルと、Inx Ga1-x Pトップセルと,該ボトムセルとトップセルとを互いに接続するIny Ga1-y Pトンネル接合層とから構成される多接合太陽電池であって、該トンネル接合層のIny Ga1-y P層の格子定数を該トップセルのInx Ga1-x P層の格子定数よりも小さくしたことを特徴とする多接合太陽電池。
Patent cited by the Patent: