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J-GLOBAL ID：200903029539182408

多接合太陽電池

Inventor： 栗田 博
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 三好 秀和 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995210618
Publication number (International publication number)：1997064386
Application date： Aug. 18, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 分光感度特性が改善され、高変換効率の直列接続型の太陽電池の構造を提供する。【解決手段】 Inx Ga1-x Pからなるトップセル1とGaAsからなるボトムセル2とをIny Ga1-y Pトンネル接合層33で直列接続したタンデムセル型太陽電池において、トンネル接合層を構成しているIny Ga1-y Pの格子定数を、このトンネル接合層を挟み込んでいる両側のInx Ga1-x Pの格子定数よりも小さくなるように組成xおよびyを選定しトンネル接合層中の不純物であるZnのしみ出しを防止し、高温熱工程の後においても所望の不純物プロファイルを達成し、良好なトンネル接合特性を得る。Iny Ga1-y Pトンネル接合を用いることによって分光感度特性も改善される。

Claim (excerpt)：

GaAsボトムセルと、Inx Ga1-x Pトップセルと,該ボトムセルとトップセルとを互いに接続するIny Ga1-y Pトンネル接合層とから構成される多接合太陽電池であって、該トンネル接合層のIny Ga1-y P層の格子定数を該トップセルのInx Ga1-x P層の格子定数よりも小さくしたことを特徴とする多接合太陽電池。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-135775
  
• 特開昭56-112764