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J-GLOBAL ID：200903029575935790

窒化物系化合物半導体結晶成長方法

Inventor： 高野 和人
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 川澄 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002331167
Publication number (International publication number)：2004165502
Application date： Nov. 14, 2002
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：

【課題】Si基板上に成長した窒化物半導体結晶薄膜にかかる歪みを緩和し、基板の反りをなくす窒化物系化合物半導体結晶成長方法を得る。【解決手段】Si基板上にIII-V族窒化物半導体薄膜結晶を成長するに際し、Si基板表面にSiO2薄膜を事前に形成し、さらにその上にAlN薄膜を堆積させた後、高温アニールを加え、その薄膜上に必要な窒化物半導体薄膜を成長することを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

Si基板上にIII-V族窒化物半導体薄膜結晶を成長するに際し、 Si基板表面にSiO2薄膜を事前に形成し、さらにその上にAlN薄膜を堆積させた後、高温アニールを加え、その薄膜上に必要な窒化物半導体薄膜を成長することを特徴とする窒化物系化合物半導体結晶成長方法。

IPC (3)：

H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

FI (3)：

H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 C

F-Term (15)：

5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AF03 ,  5F045BB11 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045DA52 ,  5F045HA06 ,  5F052JA07 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05