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J-GLOBAL ID：200903029581542082
薄膜多層配線板及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993126292
Publication number (International publication number)：1994334341
Application date： May. 27, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 精度及び信頼性等に優れたファインな導体パターンを容易にかつ低コストに形成できる薄膜多層配線板及びその製造方法を提供すること。【構成】 (a) 導体パターンC1 を有するセラミックス基板1,4上に感光性樹脂製の絶縁層I1 を形成する。(b) スパッタリングによって絶縁層I1 上にCr薄層L1 を形成する。(c) スパッタリングによってCr薄層L1 上にFe,Niから選択される少なくともいずれか一種の金属からなる金属薄層L2 を形成する。(d) 金属薄層L2 上にめっきレジスト3を形成し、硫酸銅電解めっき浴を用いて金属薄層L2 上に電解Cuめっき層L3 を形成する。(e) Ni,Co,Cr,Pdから選択される少なくとも一種を含むめっき浴を用いて、電解Cuめっき層L3 上に金属めっき層L4 を形成する。(f) めっきレジスト3を剥離し、金属薄層L2 及びCr薄層L1 をエッチングにて除去し、所定の導体パターンC2 ,C3 ,C4 を形成する。
Claim (excerpt)：
感光性樹脂製の絶縁層(I1 ,I2 ,I3 )と金属製の導体パターン(C1 ,C2 ,C3 ,C4 )とをセラミックス基板(1,4)上に交互に積層形成してなる薄膜多層配線板において、前記感光性樹脂製の絶縁層(I1 ,I2 ,I3 )上に形成されたクロム薄層(L1 )と、前記クロム薄層(L1 )上に形成された、鉄、ニッケルから選択される少なくともいずれか一種の金属からなる金属薄層(L2 )と、前記金属薄層(L2 )上に形成された電解銅めっき層(L3 ,L3a)と、前記電解銅めっき層(L3 ,L3a)上に形成された、ニッケル、コバルト、クロム、パラジウムから選択される少なくとも一種の金属からなる金属めっき層(L4 )とからなる導体パターン(C2 ,C3 ,C4 )を備えた薄膜多層配線板。
IPC (4)：
H05K 3/46
, H01L 23/12
, H05K 1/09
, H05K 3/24
