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J-GLOBAL ID:200903029587451186

研磨粒子および研磨方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高橋 光男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994320714
Publication number (International publication number):1996008218
Application date: Dec. 22, 1994
Publication date: Jan. 12, 1996
Summary:
【要約】【目的】 半導体装置の製造プロセス中に発生する層間絶縁膜や配線層等の段差の平坦化に用いる、研磨速度と低損傷性にすぐれた研磨粒子および研磨方法を提供する。【構成】 第1の層間絶縁膜1上の配線層2により形成された、第2の層間絶縁膜3の段差を、化学的機械研磨方法により平坦化する。このとき用いるスラリは、第1の材料からなる粒子を、硬度の大きい第2の材料で被覆した構造の研磨粒子を含むものである。【効果】 研磨初期から中期にかけては研磨速度が大きく、研磨後期には低ダメージの研磨が行える。このため、スループットと高品質の両立した平坦化研磨が達成できる。
Claim (excerpt):
第1の材料からなる粒子を、第2の材料で被覆した構造を有する研磨粒子。
IPC (3):
H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/3205

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