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J-GLOBAL ID：200903029588249607
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995218345
Publication number (International publication number)：1997064248
Application date： Aug. 28, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：
【要約】【目的】 熱放散性と絶縁性に優れた半導体装置、すなわち、放熱板との絶縁層を発熱素子から離れた位置に設け、かつ、当該絶縁層を薄くすることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 金属基板1と、該金属基板1の表面が露出している一方の主面11に少なくとも1つの半導体チップ30が導電的に固着され、前記主面11の当該半導体チップ30が固着されていない領域に第1の絶縁樹脂層13が設けられ、前記金属基板1の一方の主面11に対向する他方の主面15に第2絶縁樹脂層16が設けられ、前記半導体チップ1とリード36a、36b、36cとが電気的に接続され、前記金属基板1の半導体チップ30の固定部側の主面11及び側面部がモールド樹脂35で封止されてなる半導体装置である。
Claim (excerpt)：
金属基板と、該金属基板の表面が露出している一方の主面に少なくとも1つの半導体チップが導電的に固着され、前記主面の当該半導体チップが固着されていない領域に第1の絶縁樹脂層が設けられ、前記金属基板の一方の主面に対向する他方の主面に第2絶縁樹脂層が設けられ、前記半導体チップとリードとが電気的に接続されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
H01L 23/34
, H01L 23/28
, H01L 23/36
, H01L 25/04
, H01L 25/18
H01L 23/34 A
, H01L 23/28 B
, H01L 23/36 D
, H01L 25/04 Z
