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J-GLOBAL ID:200903029591973120
超電導体の着磁方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高橋 祥泰
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996327899
Publication number (International publication number):1998154620
Application date: Nov. 21, 1996
Publication date: Jun. 09, 1998
Summary:
【要約】【課題】 特に低温において特性の高い超電導体をパルス着磁する場合に、超電導体を十分に着磁できる方法を提供すること。【解決手段】 超電導体を超電導遷移温度以下に冷却し,該超電導体にパルス磁場を印加して着磁する方法において,上記パルス磁場は,超電導体に対して複数回印加する。各パルス磁場の印加は、上記超電導体を所定温度以下に冷却した後に行うことが好ましい。超電導体に複数回のパルス磁場を印加する過程の最初又は途中で少なくとも1回の最大パルス磁場を印加し,その後,該最大パルス磁場と同等又はそれより小さいパルス磁場を印加することが好ましい。
Claim (excerpt):
超電導体を超伝導遷移温度以下に冷却し,該超電導体にパルス磁場を印加して着磁する方法において,上記パルス磁場は,上記超電導体に対して複数回印加することを特徴とする超電導体の着磁方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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超電導モーター
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-253802
Applicant:株式会社イムラ材料開発研究所
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