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J-GLOBAL ID：200903029601216829

半導体装置の製造方法

Inventor： 臧前 正樹
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994042182
Publication number (International publication number)：1995249618
Application date： Mar. 14, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、耐酸化性の向上と高い成膜速度を両立させるシリコン窒化膜成膜方法を提供する。【構成】 原料ガスにシランとアンモニアを用い、成膜温度を630°C以下、成膜圧力を10Torr以上で熱CVD法によってシリコン窒化膜を成膜する。この際、原料ガスのシランに代えて、ジシラン、トリシラン等の高次シランを用い、また、原料ガスのアンモニアに代えてヒドラジンまたはモノメチルシトラジン、トリメチルヒドラジン等のヒドラジンの誘導体を用いることができる。

Claim (excerpt)：

原料ガスにシランとアンモニアを用い、成膜温度を630°C以下、成膜圧力を10Torr以上で熱CVD法によりシリコン窒化膜を成膜する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/318