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J-GLOBAL ID：200903029603262526
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992071686
Publication number (International publication number)：1994036979
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 デバイスへ悪影響を及ぼす金属不純物のゲッタリング効果をもち、かつデバイスの動作に対して影響のない酸素濃度分布構造をもつ半導体装置を提供する。【構成】 引上げ法若しくは融液浮遊法によって製造されたシリコンゴッドから切り出されたシリコン基板を用いた半導体装置において、前記シリコン基板のデバイス作製側表面より約10μmまでの深さ領域内における格子間酸素濃度が前記表面以外で、例えば5×1017cm-3(旧ASTM換算)以下の最小値をもつ分布をなし、前記表面より約10μmの深さ領域より深い領域に、格子間酸素濃度が、例えば1.2×1018cm-3(同)以上となる領域が存在するようにしたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
引上げ法若しくは融液浮遊法によって製造されたシリコンインゴットから切り出されたシリコン基板を用いた半導体装置において、前記シリコン基板のデバイス作製側表面より約10μmまでの深さ領域内における格子間酸素濃度が前記表面以外で最小値をもつ分布をなすようにしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/02
, C30B 29/06
, H01L 21/322
