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J-GLOBAL ID：200903029616989662
半導体集積回路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997256626
Publication number (International publication number)：1999097942
Application date： Sep. 22, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 精度が高いレベルシフト電圧を得ることのできる半導体集積回路を実現すること。【解決手段】 エミッタフォロワ回路を構成する第1のバイポーラトランジスタのベースが入力端子とされ、前記第1のバイポーラトランジスタのエミッタに第1の抵抗体の一端が接続されて該第1の抵抗体の他端が出力端子とされ、前記第1のバイポーラトランジスタの順方向ベース・エミッタ間電圧値の温度ドリフトを打ち消す電流を前記第1の抵抗体に流す温度補償手段を備える。
Claim (excerpt)：
エミッタフォロワ回路を構成する第1のバイポーラトランジスタのベースが入力端子とされ、前記第1のバイポーラトランジスタのエミッタに第1の抵抗体の一端が接続されて該第1の抵抗体の他端が出力端子とされ、前記第1のバイポーラトランジスタの順方向ベース・エミッタ間電圧値の温度ドリフトを打ち消す電流を前記第1の抵抗体に流す温度補償手段を備えることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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