窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮園博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000402340
Publication number (International publication number)：2002203793
Application date： Dec. 28, 2000
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】より結晶欠陥の少ない窒化物系半導体層を含む良好な素子特性を有する窒化物系半導体素子を提供する。【解決手段】凹凸形状の表面を有する第1GaN層3を含むサファイア基板1と、第1GaN層3の凹凸形状の表面を覆うとともに、凹凸形状の一方の側面のみを露出するように形成されたマスク層4および5と、露出された一方の側面に接触するとともに、マスク層4および5上に形成された第2GaN層6と、第2GaN層6上に形成され、素子領域を有する窒化物系半導体素子層7〜12とを備えている。

Claim (excerpt)：

凹凸形状の表面を有する第1窒化物系半導体を含む基板と、前記第1窒化物系半導体の凹凸形状の表面を覆うとともに、前記凹凸形状の一方の側面のみを露出するように形成されたマスク層と、前記露出された一方の側面に接触するとともに、前記マスク層上に形成された第2窒化物系半導体層と、前記第2窒化物系半導体層上に形成され、素子領域を有する窒化物系半導体素子層とを備えた、窒化物系半導体素子。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01S 5/323 610

FI (2)：

H01L 21/205 , H01S 5/323 610

F-Term (19)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DB02 , 5F045DB06 , 5F073AA13 , 5F073CA01 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB19 , 5F073DA07 , 5F073DA24 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-049906 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物系III-V族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-346418 Applicant：ソニー株式会社
窒化物半導体素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-090893 Applicant：ソニー株式会社

Return to Previous Page