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J-GLOBAL ID：200903029626853815

光半導体装置、それを含む偏波光スイッチング装置、それを用いた光通信システム及び方法

Inventor： 宮澤 誠一
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998021481
Publication number (International publication number)：1999202276
Application date： Jan. 19, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】成長回数が少なく、低しきい電流密度のレーザなどを実現すると共に、従来に比較し制御しやすい偏波変調レーザの構成などを実現する為の光半導体装置である。【解決手段】光半導体装置は、TEモードとTMモードの少なくとも一方を吸収する様に形成された半導体積層構造3を有する吸収領域16を持つ。半導体積層構造3を有する吸収領域16と、発光素子領域15が集積形成されていてもよい。

Claim (excerpt)：

TEモードとTMモードの少なくとも一方を吸収する様に形成された半導体積層構造を有する吸収領域を持つ光半導体装置。

IPC (6)：

G02F 1/025 ,  H01S 3/18 ,  H04B 10/152 ,  H04B 10/142 ,  H04B 10/04 ,  H04B 10/06

FI (3)：

G02F 1/025 ,  H01S 3/18 ,  H04B 9/00 L