Pat

J-GLOBAL ID：200903029629298537

3層レジストプロセス用中間層材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor： 上西 一也
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002081328
Publication number (International publication number)：2003280207
Application date： Mar. 22, 2002
Publication date： Oct. 02, 2003
Summary：

【要約】【課題】 有機溶剤に可溶であり、保存安定性に優れ、かつ上層レジストパターニング時に裾引き形状、ラインエッジラフネスに問題のない3層レジストプロセス用中間層材料組成物及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】環状構造のポリシロキサン化合物とビス(置換エチニル)化合物とを白金含有触媒下、ヒドロキシル化重合反応させることにより得られる(A)オクタキス(シルセスキオキサン)骨格を有する重合体を含有することを特徴とする3層レジストプロセス用中間層材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法。

Claim (excerpt)：

下記化合物(I)と一般式(II)の化合物を白金含有触媒下、ヒドロキシル化重合反応させることにより得られる(A)オクタキス(シルセスキオキサン)骨格を有する重合体を含有することを特徴とする3層レジストプロセス用中間層材料組成物。【化1】式(I)において、Ra〜Rhは、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル基を表すが、少なくとも二つは水素原子である。式(II)において、R1及びR3は、各々独立に、一価の有機基または有機金属基を表し、R2は二価の有機基または有機金属基を表す。aは0又は1を表す。

IPC (5)：

G03F 7/11 ,  C08G 77/50 ,  G03F 7/075 521 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/11 ,  C08G 77/50 ,  G03F 7/075 521 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 573

F-Term (17)：

2H025AA03 ,  2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025DA40 ,  2H025FA35 ,  2H096AA25 ,  2H096KA02 ,  4J035BA12 ,  4J035CA02U ,  4J035CA021 ,  4J035HA01 ,  4J035HA02 ,  4J035HB01 ,  4J035HB02 ,  4J035HB03 ,  4J035HB05 ,  5F046NA07