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J-GLOBAL ID：200903029629351195

MOS形電界効果トランジスタ

Inventor： アルベルト オー アダン
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991323317
Publication number (International publication number)：1993160396
Application date： Dec. 06, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 従来のCMOSの製造工程を利用しうる簡単な方法で酸化物電界分離領域(FOX)の幅を小さくし能動領域の幅を拡大して、より高度な集積密度を可能にするMOSFETを提供する。【構成】 ソース16とドレイン16′の領域が、ゲート電極14に自己整合し且つシリコン単結晶基板1中の浅い埋設位置にある酸化物絶縁層7により抱持されて、該酸化物絶縁層7の上にあり、チャネル領域は、その底部が前記シリコン基板に連続している構造を有するMOS形電界効果トランジスタ。

Claim (excerpt)：

ソースとドレインの領域が、ゲート電極に自己整合し且つシリコン単結晶基板中の浅い埋設位置にある酸化物絶縁層により抱持されて、該酸化物絶縁層の上にあり、チャネル領域は、その底部が前記シリコン基板に連続している構造を有するMOS形電界効果トランジスタ。