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J-GLOBAL ID：200903029640494003

プラズマ処理装置、スパッタ装置、及び液晶装置の製造装置

Inventor： 伊藤 佳史
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (2)： 西 和哉 ,  志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007224400
Publication number (International publication number)：2009057590
Application date： Aug. 30, 2007
Publication date： Mar. 19, 2009
Summary：

【課題】プラズマ処理時における異常放電の発生を防止した、プラズマ処理装置、スパッタ装置、及び液晶装置の製造装置を提供する。【解決手段】チャンバ3a内に対向配置された電極9a,9b間に高周波電力を印加してプラズマを発生させるプラズマ処理装置3である。チャンバ3aの内壁面への処理生成物の付着を防止する防着板30を備え、防着板30には少なくともプラスの電圧が印加される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

チャンバ内に対向配置された電極間に高周波電力を印加してプラズマを発生させるプラズマ処理装置において、 前記チャンバの内壁面への処理生成物の付着を防止する防着板を備え、 該防着板には少なくともプラスの電圧が印加されることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

C23C 14/00 ,  G02F 1/133 ,  H05H 1/46

FI (3)：

C23C14/00 B ,  G02F1/1337 515 ,  H05H1/46 M

F-Term (14)：

2H090HB03Y ,  2H090HC03 ,  2H090HC18 ,  2H090HD14 ,  2H090LA04 ,  2H090MB06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029CA06 ,  4K029DA10 ,  4K029DC25 ,  4K029DC32 ,  4K029DC39

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特許第3301152号公報