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J-GLOBAL ID：200903029644956206

超伝導材料用の非破壊評価装置および方法

Inventor： ビザン・ドリ ,  ブージン・ズー,シニア
Applicant, Patent owner： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
Agent (1)： 生沼 徳二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992143935
Publication number (International publication number)：1993249213
Application date： Jun. 04, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】超伝導材料の超伝導性を非破壊的に評価するための新規な装置および方法を提供する。【構成】超伝導材料を二本巻き用巻枠2上に巻付け、そして極低温環境中において試験することにより、該材料の超伝導状態が消失する時点を測定する。かかる試験操作中に該材料に印加される電磁界、電流および温度を変化させ、かつ試験結果を既知のデータと比較することにより、該材料が超伝導性を有するかどうかを判定する。このようにして、多量の試料を非破壊的に試験する。

Claim (excerpt)：

(a) 周囲に巻付けられた超伝導巻線によって実質的に包囲された巻枠、(b) 前記巻枠をほぼ極低温にまで冷却するための冷却手段、(c) 前記巻枠および前記冷却手段を保持するための保持手段、並びに(d) 前記巻線を試験して前記巻線が所定の超伝導値を有するかどうかを判定するための評価手段を有することを特徴とする、超伝導材料の超伝導性を評価するための装置。

IPC (2)：

G01R 33/12 ZAA ,  G01N 27/72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-111588
  
• 特開昭63-036506
  
• 特開昭64-025488