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J-GLOBAL ID：200903029653071659

半導体製造装置

Inventor： 金井 昭司 ,  石内 正宏 ,  田宮 洋一郎 ,  大金 信哉 ,  村雲 清人 ,  広田 信吉 ,  黒岩 慶造
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993291583
Publication number (International publication number)：1995142549
Application date： Nov. 22, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 搬送時のウェハ温度を測定制御して、ウェハ処理時のウェハ温度の誤差を低減し、塗布膜厚、現像寸法、重ね合わせ等の精度向上を可能とする。【構成】 各処理ユニットの搬送口の近く、または搬送アームにウェハ温度測定機能を設け、処理直前のウェハ温度を測定し、ウェハ温度が処理に適した温度範囲外である場合には、搬送アームを待機状態にして搬送路上でウェハ温度を補正した後に、ウェハを処理ユニットに搬送し処理を開始する。【効果】 ウェハ処理直前のウェハ温度を測定し、制御することにより、処理時のウェハ温度を一定に保つことができるので、ウェハの温度差によるホトレジスト塗布膜厚,現像寸法,重ね合わせ等の誤差を低減することが可能となり、それによって、製品の品質が安定し、特性が向上しかつ歩留まりが向上する。

Claim (excerpt)：

チャンバー内に複数の処理ユニットを設け、搬送ユニットによって各処理ユニット間のウェハの移動を行なう半導体製造装置において、処理ユニットの外部にてウェハの温度を測定する温度測定部を処理ユニットまたは搬送ユニットの少なくとも何れかに設けたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/66