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J-GLOBAL ID：200903029661539295

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： ▲高▼橋 英匡
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992039833
Publication number (International publication number)：1993235042
Application date： Feb. 26, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 飽和出力が大きく、利得の線形性がよく、かつ高電力付加効率の高出力電界効果トランジスタを実現する。また、埋め込みゲート構造の製造方法において、ドレイン電流の制御性を向上する。【構成】 半絶縁性基板1上にn-GaAs層2、1000オングストローム以上かつ2000オングストローム以下の不純物ドープしないi-GaAs3を形成し、i-GaAs層3中に形成され、かつi-GaAs層が300オングストローム以上の層厚を有するように形成されたゲート電極6を設けることにより、表面準位の影響を避けた構造でかつゲート電極6近傍での電界集中を低減し、高出力・高効率の電界効果トランジスタを実現する。

Claim (excerpt)：

n型に不純物ドープしたGaAs層(n-GaAs層)と、このn-GaAs層上に1000オングストローム以上かつ2000オングストローム以下の層厚で配した、5×1016cm-3以下の濃度でn型に不純物ドープしたGaAs層(n- -GaAs層)あるいは1×1015cm-3以下の濃度のp型に不純物ドープしたGaAs層(p- -GaAs層)あるいは不純物ドープしないGaAs層(i-GaAs層)と、前記n- -GaAs層あるいはp- -GaAs層あるいはi-GaAs層上に形成され、かつ前記n-GaAs層との間に前記n- -GaAs層あるいはp--GaAs層あるいはi-GaAs層が300オングストローム以上の層厚を有するように形成されたゲート電極とを備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-286284
  
• 特開平3-053097
  
• 特開平4-049626
  
• 特開昭50-119580