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J-GLOBAL ID：200903029668834713

半導体分布帰還型レーザ装置

Inventor： 多田 邦雄 ,  中野 義昭 ,  曹 宏力 ,  羅 毅
Applicant, Patent owner： 光計測技術開発株式会社
Agent (1)： 井出 直孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991322147
Publication number (International publication number)：1993160505
Application date： Dec. 05, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 周期的な光吸収層を設けて等価的な利得に周期変化をもたせた利得結合型の半導体分布帰還型レーザ装置において、光吸収層の形状を最適化する。【構成】 光吸収層によって生じる平均吸収損失が小さく、それでいて利得結合が十分に得られる程度に一周期毎の光吸収層の長さおよびその幅を設定する。

Claim (excerpt)：

誘導放出光を発生する活性層と、この活性層の発生する誘導放出光に光分布帰還を施す帰還手段とを備え、この帰還手段は、前記活性層が発生した誘導放出光を吸収する組成により前記活性層のレーザ発振方向に沿って周期的に設けられた光吸収層を含む半導体分布帰還型レーザ装置において、前記光吸収層は、その周期ごとの実質的な吸収領域がその周期に対して5〜35%の実質的に一定の値に設定されたことを特徴とする半導体分布帰還型レーザ装置。