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J-GLOBAL ID：200903029675411380

半導体ウェハの研磨方法

Inventor： 秋山 弘樹 ,  小又 慎史 ,  丸山 孝利
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994069531
Publication number (International publication number)：1995283176
Application date： Apr. 07, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】オリエンテーションフラット部のへき開面のチッピングを大幅に減少させ、鏡面研磨工程の歩留りを向上する。【構成】インゴットからスライスしたGaAsウェハを角形に整形する(ステップ11)。ウェハサイズはオリエンテーションフラット部のへき開面出し作業が可能で最終的な大きさを確保できる大きさとする。次いで、エッチングする(ステップ12)。その後、両面同時ラッピングでラッピング加工を行う(ステップ13)。ラッピング加工後、角形ウェハの一辺のへき開面出し作業を行う(ステップ14)。さらに、へき開面を出した面を除き残りのウェハ外周部の面取り加工を行い、所定の直径、所定のオリエンテーションフラット長の円形ウェハに整形する(ステップ15)。その後、エッチングを行い(ステップ16)、さらにポリッシングを行ってウェハを鏡面仕上げする(ステップ17)。

Claim (excerpt)：

円形のウェハのオリエンテーションフラットがへき開面を要求される半導体ウェハを研磨する方法において、ラッピング加工までは最終形状が確保できる大きさにウェハを加工し、ラッピング後にオリエンテーションフラットのへき開面出しを行ない、その後ポリッシングを行うことを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 1/00