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J-GLOBAL ID：200903029688840639

X線マスクと該マスクの製造方法、ならびに該マスクを用いたデバイス生産方法

Inventor： 加藤 日出夫 ,  菅田 正夫 ,  前原 広 ,  千葉 啓子
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994310546
Publication number (International publication number)：1996167555
Application date： Dec. 14, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【目的】 経時およびプロセス安定性に優れたX線リソグラフィ用マスクを提供すること。【構成】 X線透過膜であるマスクメンブレン上に形成される吸収体パターンが、タングステン(W)とモリブデン(Mo)を含む合金であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

マスクメンブレン上に形成される吸収体パターンが、タングステン(W)とモリブデン(Mo)を含む合金であることを特徴とするX線マスク。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭56-112727
  
• 特開昭63-155618