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J-GLOBAL ID：200903029695876967
希土類系酸化物超電導体及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
渡邉 一平 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992076552
Publication number (International publication number)：1993279029
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 26, 1993
Summary：
【要約】【構成】 結晶粒に粒径5μm以下の銀粒子又は銀化合物粒子を含有する希土類系酸化物超電導体。結晶粒に銀粒子又は銀化合物粒子を含有し、かつ結晶粒の中心部より端部の方が銀粒子又は銀化合物粒子の粒径が小さい、あるいは体積分率が大きい希土類系酸化物超電導体。銀又は銀化合物に含有する銀元素が希土類系酸化物超電導体と該銀又は銀化合物との和の5〜12重量%となるように銀又は銀化合物を成形体に含有し、かつ、加熱溶融後で該成形体の溶融温度から凝固点までの冷却速度が1時間あたり100°C以上である希土類系酸化物超電導体の製造方法。【効果】 銀粒子又は銀化合物粒子が結晶粒内部のクラックの成長を防止するため、超電導特性の優れた希土類系酸化物超電導体を得ることができる。
Claim (excerpt)：
結晶粒に粒径5μm以下の銀粒子又は銀化合物粒子を含有することを特徴とする希土類系酸化物超電導体。
IPC (4)：
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, H01B 12/00
, H01B 13/00 565
