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J-GLOBAL ID：200903029696131914

半導体レーザ

Inventor： 二木 誠
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991303882
Publication number (International publication number)：1993121829
Application date： Oct. 24, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】基板10上に第1クラッド層12、活性層14、第2クラッド層16、第3クラッド層18及びコンタクト層20が形成されて成り、第3クラッド層18がストライプ状である半導体レーザであって、第2クラッド層16の厚さが正確に制御され、動作の安定した半導体レーザを提供する。【構成】本発明の第1の態様の半導体レーザは、第3クラッド層18を構成する化合物半導体が、第2クラッド層16を構成する化合物半導体よりも早いエッチング速度を有する。第2の態様の半導体レーザは、各クラッド層12,16,18がアルミニウムを含む化合物半導体から成り、第3クラッド層18の化合物半導体中のアルミニウム含有率が、第2クラッド層16の化合物半導体中のアルミニウム含有率よりも高い。

Claim (excerpt)：

基板上に第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、第3クラッド層及びコンタクト層が形成されて成り、第3クラッド層がストライプ状である半導体レーザであって、第3クラッド層を構成する化合物半導体は、第2クラッド層を構成する化合物半導体よりも早いエッチング速度を有することを特徴とする半導体レーザ。