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J-GLOBAL ID：200903029705364072

電界効果により制御可能の半導体デバイス

Inventor： イエネ チハニ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992218430
Publication number (International publication number)：1993198815
Application date： Jul. 24, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電界効果により制御可能の半導体デバイスにおいて、順方向抵抗を低下させ、かつ機械的耐性を維持するように改良する。【構成】 陽極側主平面3にくぼみ6を設け、それにより半導体本体の厚さを部分的に維持する。陽極領域10は陽極側主平面3、くぼみ6の壁面8及び底面7と境を接している。

Claim (excerpt)：

ソース領域(5)と境を接している第1主平面(2)及び陽極領域(10)と境を接している第2主平面(3)を有する半導体本体からなる絶縁ゲート及び電界効果による制御装置を有する半導体デバイスにおいて、半導体本体が第2主平面(3)に半導体本体の内部に向かって先細になるくぼみ(6)を有し、また陽極領域(10)が第2主平面(3)、くぼみ(6)の壁面(8)及び底面(7)と境を接していることを特徴とする絶縁ゲート及び電界効果による制御装置を有する半導体デバイス。