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J-GLOBAL ID：200903029705446303
太陽電池の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 亮一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996003002
Publication number (International publication number)：1997191118
Application date： Jan. 11, 1996
Publication date： Jul. 22, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 簡略な太陽電池の製造工程により、低コストで高効率な太陽電池の製造方法。【解決手段】 太陽電池の製造方法において、(1)p 型シリコン基板の表面にりん・ドーパントを含んだ有機チタン化合物塗布層を形成し、裏面にアルミニウム層を形成した後、近赤外ランプ加熱炉で該シリコン基板の両面をドライブイン拡散させて、該シリコン基板の表面にn+接合層とTiO2反射防止膜を、裏面に電界層(p+)を同時に形成する工程、及び/又は(2)p 型シリコン基板の表面のTiO2反射防止膜側に電極下部における選択拡散用のSb合金ドーパントを含んだ銀ペースト塗布層を形成し、裏面の電界層(p+)側に銀ペースト塗布層を形成した後、該シリコン基板を近赤外ランプ加熱炉で焼成して、両面に銀電極を同時に形成する工程、を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
Claim (excerpt)：
太陽電池の製造方法において、(1)p 型シリコン基板の表面にりん・ドーパントを含んだ有機チタン化合物塗布層を形成し、裏面にアルミニウム層を形成した後、近赤外ランプ加熱炉で該シリコン基板の両面をドライブイン拡散させて、該シリコン基板の表面にn+接合層とTiO2反射防止膜を、裏面に電界層(p+)を同時に形成する工程、及び/又は(2)p 型シリコン基板の表面のTiO2反射防止膜側に電極下部における選択拡散用のSb合金ドーパントを含んだ銀ペースト塗布層を形成し、裏面の電界層(p+)側に銀ペースト塗布層を形成した後、該シリコン基板を近赤外ランプ加熱炉で焼成して、両面に銀電極を同時に形成する工程、を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (3)：
H01L 31/04
, H01L 21/225
, H01L 21/316
H01L 31/04 A
, H01L 21/225 M
, H01L 21/316 X
