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J-GLOBAL ID：200903029737688279
ダイヤモンド基板及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 勝成 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991283938
Publication number (International publication number)：1993102047
Application date： Oct. 04, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体デバイス等の用途に適した大面積の単結晶ダイヤモンド基板を大量且つ安価に製造し、提供する。【構成】 単結晶炭化ケイ素の結晶面のうち炭素原子のみが現れる炭素原子面を成長用表面とする基板を準備し、この成長用表面の炭素原子面上にCVD法等の気相合成法により単結晶ダイヤモンド層を成長させることにより、前記単結晶炭化ケイ素基板の炭素原子面の上に成長した単結晶ダイヤモンド層を有するダイヤモンド基板。
Claim (excerpt)：
単結晶炭化ケイ素からなる基板と、この基板の結晶面のうち炭素原子のみが現れる炭素原子面の上に成長した単結晶ダイヤモンド層とを有するダイヤモンド基板。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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