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J-GLOBAL ID：200903029745008511

薄膜形成装置および薄膜形成方法

Inventor： 小牧 一樹 ,  中西 努 ,  増谷 武 ,  野村 幸治
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999203073
Publication number (International publication number)：2001035846
Application date： Jul. 16, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Pt薄膜と少なくともPbとTiを含むABO3型のペロブスカイト型誘電体薄膜を形成する工程において、結晶性等の膜特性良くPt及び誘電体薄膜を形成出来る薄膜形成装置及び形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 PbとTiを含むABO3型のペロブスカイト型誘電体ターゲット22とPtターゲット23とからなり、少なくとも2個以上のターゲットを同時に有し、かつ基板14が各ターゲット上を周回できる手段を有するものである。

Claim (excerpt)：

少なくともPbとTiを含むABO3型のペロブスカイト型誘電体ターゲットとPtターゲットからなり、少なくとも2個以上のターゲットを同時に有し、かつ基板が各ターゲット上を周回する手段を備えた薄膜形成装置。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 14/34 ,  H01L 41/24

FI (3)：

H01L 21/316 Y ,  C23C 14/34 A ,  H01L 41/22 A

F-Term (20)：

4K029BA13 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BC00 ,  4K029DA08 ,  4K029DA10 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC16 ,  4K029JA02 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF13 ,  5F058BF14 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ01