Pat
J-GLOBAL ID：200903029745814348
薄膜太陽電池とその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001194241
Publication number (International publication number)：2003008038
Application date： Jun. 27, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：
【要約】【課題】 製造プロセスにおける熱拡散による界面特性の劣化を抑制し、再現性が良くかつ変換効率が高い薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】 少なくとも一つのpin接合のp型半導体層7あるいはn型半導体層3が微結晶相を含む非晶質シリコン系薄膜からなり、その微結晶相を含む非晶質半導体層と非晶質シリコン系膜からなるi型半導体層4との接合界面において、バンドギャップがi型半導体層4よりも広く、かつ、微結晶相を含む非晶質シリコン系膜と同一導電型の不純物を低濃度添加した非晶質シリコン系膜の界面半導体層を介在してなる薄膜太陽電池であって、前記界面半導体層を少なくとも2層(5,6)とし、前記i型半導体層との界面側の界面半導体層(i側界面層)5の不純物添加量を、p型半導体層あるいはn型半導体層との界面側の界面半導体層(非i側界面層)6の不純物添加量より小としてなるものとする。
Claim (excerpt)：
p型半導体層、実質的に真性なi型半導体層、n型半導体層を積層したpin接合を少なくとも一つ有する薄膜太陽電池において、少なくとも一つのpin接合のp型半導体層あるいはn型半導体層が微結晶相を含む非晶質シリコン系薄膜からなり、その微結晶相を含む非晶質半導体層と非晶質シリコン系膜からなるi型半導体層との接合界面において、バンドギャップがi型半導体層よりも広く、かつ、微結晶相を含む非晶質シリコン系膜と同一導電型の不純物を低濃度添加した非晶質シリコン系膜の界面半導体層を介在してなる薄膜太陽電池であって、前記界面半導体層を少なくとも2層とし、前記i型半導体層との界面側の界面半導体層(i側界面層)の不純物添加量を、p型半導体層あるいはn型半導体層との界面側の界面半導体層(非i側界面層)の不純物添加量より小としてなることを特徴とする薄膜太陽電池。
F-Term (12)：
5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051CA03
, 5F051CA05
, 5F051CA15
, 5F051CA34
, 5F051CA36
, 5F051CB15
, 5F051CB27
, 5F051DA04
, 5F051FA04
, 5F051GA03
