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J-GLOBAL ID：200903029746593027
ガス電極の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
森 浩之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993139614
Publication number (International publication number)：1994330367
Application date： May. 18, 1993
Publication date： Nov. 29, 1994
Summary：
【要約】【目的】 従来のガス電極の製造方法である湿式法や焼成法は経済性や安全性あるいは電極性能等において劣り、満足できるガス電極の製造方法が望まれていた。本発明は、経済性があり安全で粒径の小さい触媒層を有するガス電極の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 電極基体の片面に、白金族金属塩を溶解し該金属塩と有機錯体を形成し得る有機溶媒を塗布し焼成して前記白金族金属塩を還元して触媒層を形成してガス電極とする。本発明方法によると、白金族金属塩の還元をフッ素樹脂を分解することなく行うことができ、表面積の大きい微細な触媒粒子から成る均一で必要最小限の厚さの触媒層を形成できる。
Claim (excerpt)：
炭素粉末及びフッ素樹脂粉末を混合焼成してシート状ガス電極基体を形成し、該基体の片面のみに、白金族金属塩を該金属塩と有機錯体を形成し得る有機溶媒中に溶解して調製した有機溶液を塗布乾燥し、不活性雰囲気中、250 °C以上380 °C以下で焼成して前記白金族金属塩を還元して触媒層を形成することを特徴とするガス電極の製造方法。
IPC (3)：
C25B 11/08
, H01M 4/86
, H01M 4/88
