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J-GLOBAL ID:200903029748655488

膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999360292
Publication number (International publication number):2001172562
Application date: Dec. 20, 1999
Publication date: Jun. 26, 2001
Summary:
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、溶液の長期保存安定性、塗膜の均一性や機械的強度に優れ、比誘電率2.5以下の塗膜が得られる膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは1〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2) で表される化合物Si(OR2)4 ・・・・・(2)(R2は1価の有機基を示す。)からなる化合物を酸触媒と水の存在下で反応させた加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方(B)プロピレングリコールモノアルキルエーテルならびに(C)ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
Claim (excerpt):
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは1〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2) で表される化合物Si(OR2)4 ・・・・・(2)(R2は1価の有機基を示す。)からなる化合物を酸触媒と水の存在下で反応させた加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方(B)プロピレングリコールモノアルキルエーテルならびに(C)ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (3):
C09D171/02 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/04
FI (3):
C09D171/02 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/04
F-Term (20):
4J038DF021 ,  4J038DF022 ,  4J038DL031 ,  4J038DL032 ,  4J038JA02 ,  4J038JA03 ,  4J038JA17 ,  4J038JA25 ,  4J038JA55 ,  4J038JC32 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038KA09 ,  4J038NA11 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  4J038NA26 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  4J038PC08

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