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J-GLOBAL ID：200903029751349614

プロトン伝導体及びその製造方法、並びに電気化学デバイス

Inventor： 李 勇明 ,  日隈 弘一郎
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002138210
Publication number (International publication number)：2003187636
Application date： May. 14, 2002
Publication date： Jul. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 乾燥雰囲気中や室温を含む比較的広い温度領域でも使用することができ、しかもプロトン伝導率を大きく向上することが可能な新規なプロトン伝導体及びその製造方法、並びに電気化学デバイスを提供すること。【解決手段】 フラーレン分子に、プロトン(H+)解離性の基を有する官能基が結合し、前記官能基が、前記プロトン解離性の基を有すると共に、3員環又はそれ以上の環状構造を介して結合している、プロトン伝導体と、これを用いた電気化学デバイス。前記物質に、エステル基を有する官能基が3員環又はそれ以上の環状構造を介して結合されてなる誘導体を得、この誘導体を水酸化アルカリによって加水分解し、この加水分解物をイオン交換して前記プロトン解離性の基を形成する、プロトン伝導体の製造方法。

Claim (excerpt)：

フラーレン分子と、炭素を主成分とするクラスターと、線状又は筒状炭素の構造体とからなる群より選ばれた少なくとも1種からなる物質に、プロトン(H+)解離性の基を有する官能基が結合してなる誘導体であり、前記官能基が、前記プロトン解離性の基を有すると共に、前記物質に3員環又はそれ以上の環状構造を介して結合している、プロトン伝導体。

IPC (5)：

H01B 1/06 ,  C07C309/25 ,  C07F 9/38 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/10

FI (5)：

H01B 1/06 A ,  C07C309/25 ,  C07F 9/38 Z ,  H01M 8/02 P ,  H01M 8/10

F-Term (9)：

4H006AA01 ,  4H006AB91 ,  4H050AA01 ,  4H050AB91 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H026AA06 ,  5H026BB10 ,  5H026EE05