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J-GLOBAL ID：200903029752029338
半導体容量式加速度センサ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992018723
Publication number (International publication number)：1993215770
Application date： Feb. 04, 1992
Publication date： Aug. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】加速度印加時のダイヤフラムまたは、梁の変位,変形を円弧状ではなく、垂直平行移動させて、直線性,精度向上を計ることと、ウェハ同士の接合時に接合歪み、アルカリ成分の析出を抑える。【構成】半導体基板と半導体基板の上面に形成された可動電極と、可動電極の周辺にマイクロマシニングで形成された厚さ10〜60μmのダイヤフラム部または、梁部と半導体基板に平行で可動電極とギャップが、数μm、かつ、可動電極と同一面積の固定電極を有するシリコン基板が、ウェハ接合で接合され、半導体基板のダイヤフラム部または、梁部が形成され、可動電極が加速度に比例して垂直に変位する可動電極で構成されたものである。
Claim (excerpt)：
シリコン基板をエッチングしてダイヤフラム状に形成し、その中央部に容量検出用の電極を設けた半導体基板と、その上面に相対する電極を設けたシリコン部にて容量検出用のギャップを構成するシリコン基板が、加速度に比例して出力が検出されることを特徴とした半導体容量式加速度センサ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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