有機電界効果トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 清水義憲 , 三上敬史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008032309
Publication number (International publication number)：2008270734
Application date： Feb. 13, 2008
Publication date： Nov. 06, 2008
Summary：

【課題】オン電流及び電流のオン・オフ比が十分に高く、且つ大気中に曝露した場合にも電流のオン・オフ比の低下が十分に小さい、高分子化合物を用いる有機電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】ゲート電極2、ゲート絶縁層3、半導体層4、ソース電極7及びドレイン電極8を備える有機電界効果トランジスタであって、ソース電極7及びドレイン電極8はそれぞれ、導電層6及び6’、並びにアクセプター化合物からなる化合物層5及び5’から構成されており、化合物層5及び5’はそれぞれ、半導体層4に接して配置され、半導体層4は、イオン化ポテンシャルが5.0eV以上の高分子化合物を含有する有機電界効果トランジスタ。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を備える有機電界効果トランジスタであって、前記ソース電極及び前記ドレイン電極はそれぞれ、導電層、及びアクセプター化合物からなる化合物層から構成されており、前記化合物層はそれぞれ、前記半導体層に接して配置され、前記半導体層は、イオン化ポテンシャルが5.0eV以上の高分子化合物を含有する、有機電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (5)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/28 250G

F-Term (45)：

5F110AA05 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

有機電子デバイス、及び有機電子デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-306266 Applicant：大日本印刷株式会社, 城戸淳二
インクジェットで作成された集積回路
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-547423 Applicant：プラスティックロジックリミテッド
モノ、オリゴおよびポリアルキリデンフルオレンおよびこれらの電荷移動材料としての使用
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-237719 Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング

Show all

Return to Previous Page