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J-GLOBAL ID：200903029767794448

半導体膜形成装置

Inventor： 岡田 聡
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991318090
Publication number (International publication number)：1993160039
Application date： Dec. 02, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 堆積膜形成装置を、膜厚方向に均一に膜を堆積することができるようにする。【構成】 堆積膜形成装置10は、RF電極18と基体1との間にシャッター機構が設けられている点が従来の堆積膜形成装置と異なる。ここで、シャッター機構は、RF電極18と基体1とを遮るシャッター31と、シャッター31をシャッター軸311 を軸として回転させてシャッター31の開閉を行うモーターなどの動力32とからなる。また、チャンバー12内の構造物はRF電極18以外はシャッター31を含みすべて接地されている。

Claim (excerpt)：

RF電極と基体と間に放電を発生させて前記基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記基体と前記RF電極との間に、シャッター機構が設けられていることを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 26/00 ,  H01L 21/285