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J-GLOBAL ID：200903029772145903
半導体基板アッシング装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993158279
Publication number (International publication number)：1995135196
Application date： Jun. 29, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】マイクロ波を利用する半導体基板アッシング装置において、マイクロ波の漏洩発生時の安全性を確保する。【構成】マイクロ波発生部3及び導波菅2の連結部の外周部にマイクロ波を検出する検出器6を設け、インターロック回路7にて設定した量以上の漏洩量があった場合、マイクロ波発生部3を制御する電源制御部4に対してマイクロ波発生停止信号を出し、ただちにマイクロ波の発生を中断する。
Claim (excerpt)：
マイクロ波を用いてプラズマを励起させ、半導体基板上のレジストや有機膜の剥離を行うマイクロ波利用のアッシング装置において、マイクロ波の伝送する複数の導波菅の連結部の外周部にマイクロ波検出器を備え、このマイクロ波検出器がマイクロ波の漏洩量を一定の値以上を検知すると、マイクロ波発生部を制御する電源制御部に対してマイクロ波発生停止信号を出し、アッシング処理を中断するインターロック回路を有することを特徴とするアッシング装置。
IPC (2)：
H01L 21/3065
, H01L 21/027
H01L 21/302 H
, H01L 21/302 E
, H01L 21/30 572 A
