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J-GLOBAL ID：200903029772445184

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 諸沢 成浩 ,  岩田 浩 ,  柿本 誠三
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000187678
Publication number (International publication number)：2002009280
Application date： Jun. 22, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ゲート長の短いPMOSトランジスタにおいてもトランジスタ特性の優れたバラツキの少ない、信頼性に優れた絶縁ゲート型トランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 この半導体装置は、ゲート長手方向の幅が1.5μm以下の領域に形成された絶縁ゲート型電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜205中および、半導体基板201とゲート絶縁膜205界面に窒素を含む。このゲート絶縁膜205に含まれる界面窒素濃度が1×1020(/cm3)以上でハロゲン元素が含まれる。半導体基板201とゲート絶縁膜205界面の窒素が、ソース・ドレイン部208からのボロンの拡散を防いで、ボロンの異常拡散を抑制すると同時に、ゲート絶縁膜205中のハロゲン元素がチャネル・ゲート絶縁膜の界面特性の劣化を防ぐ。

Claim (excerpt)：

絶縁ゲート型電界効果型トランジスタを含み、素子分離領域と素子形成領域を持つ半導体基板上に形成された半導体装置であって、ゲート長手方向の幅が1.5μm以下の領域に形成された上記絶縁ゲート型電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜中および、上記半導体基板とゲート絶縁膜界面に窒素を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (4)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 S

F-Term (44)：

5F040DA02 ,  5F040DA06 ,  5F040DA17 ,  5F040DA28 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040ED03 ,  5F040EE05 ,  5F040EF01 ,  5F040EF02 ,  5F040EH02 ,  5F040EH08 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040FA05 ,  5F040FA07 ,  5F040FA10 ,  5F040FA16 ,  5F040FA18 ,  5F040FB02 ,  5F040FC06 ,  5F040FC15 ,  5F040FC19 ,  5F040FC21 ,  5F048AA07 ,  5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30