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J-GLOBAL ID：200903029778653757

パワー半導体モジュール

Inventor： 碓井 修 ,  武藤 浩隆 ,  大井 健史 ,  木ノ内 伸一 ,  堀口 剛司 ,  菊永 敏之 ,  菊池 巧
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998331655
Publication number (International publication number)：2000156439
Application date： Nov. 20, 1998
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 IGBT素子16が、その下面が放熱板14上に搭載されて筐体28内に収納されるIGBTモジュールにおいて、IGBT素子16に発生する熱を放熱板14に放熱する際の熱伝導路の熱抵抗を低減して、IGBT素子16の発熱温度を低減させる。【解決手段】 IGBT素子16の上面のエミッタ電極17と放熱板14上に設けた絶縁性中継基板23aとを平板状の金属で構成された放熱部材27で接合し、IGBT素子16の上面と下面の双方から放熱板14への放熱を可能にする。

Claim (excerpt)：

パワー半導体素子が、その下面が放熱板上に搭載されて筐体内に収納されるパワー半導体モジュールにおいて、上記パワー半導体素子の上面と上記放熱板上とに接合される平板状またはブロック状の放熱部材を備え、該放熱部材を介して上記パワー半導体素子の上面から上記放熱板に放熱するようにしたことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (2)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/34

FI (2)：

H01L 23/36 D ,  H01L 23/34 A

F-Term (7)：

5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB16 ,  5F036BB21 ,  5F036BB23 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01