Pat

J-GLOBAL ID：200903029782522799

光機能素子、これを含む光集積素子およびそれらの製造方法

Inventor： 中尾 正史 ,  近藤 康洋 ,  岡安 雅信 ,  永沼 充 ,  鈴木 安弘 ,  湯田 正宏 ,  三冨 修 ,  笠谷 和生 ,  中野 純一 ,  横山 清行
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994077998
Publication number (International publication number)：1995231144
Application date： Mar. 24, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【目的】 広帯域な発光特性をもち、かつ高密度に集積化された光機能素子を提供すること。【構成】 光機能素子は、半導体基板1と、この上に形成された光機能層(発光層、吸収層、光導波層)とを具備し、光機能層は多重量子井戸層6を有する。好ましくは、基板は1〜10μmのリッジ幅、1〜5μmのリッジ高さ、かつ1〜10μmの溝幅のリッジ形状を有する非平坦半導体基板である。このような素子は上述の特定サイズ範囲の非平坦半導体基板に有機金属気相成長法により歪み多重量子井戸層を形成して作製する。光集積素子はこのような光機能素子を上述の特定の基板上に備える。この特定基板上にモノリシックに形成した歪み多重量子井戸構造の一部を有し組成の若干相違する複数の光機能素子を機能的に組み合わせて、発光および受光機能を有する光集積素子を作製できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板上に形成された光機能層であって発光層、吸収層および光導波層から選ばれる光機能層とを具備する光機能素子において、前記光機能層は多重量子井戸層を有し、前記半導体基板1μmから10μmのリッジ幅で、1μmから5μmのリッジ高さで、かつ1μmから10μmの溝幅のリッジ形状を有する非平坦半導体基板であることを特徴とする光機能素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭64-042888
  
• 特開平3-225884
  
• 特開平4-364084
  
• 特開平4-206982
  
• 特開昭61-183987