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J-GLOBAL ID：200903029783789209
半導体レーザ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992123438
Publication number (International publication number)：1993327126
Application date： May. 15, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 リッジ導波路形成後の再成長によって電流ブロック層形成する際の再成長界面特性を改善する。【構成】 AlGaAsからなるクラッド層4で構成されるリッジ導波路を、まずAlGaAsからなる再成長界面保護層5を形成したのち、連続してGaInPからなる電流ブロック層6をエピタキシャル成長させることにより埋め込む構成とした。【効果】 再成長界面特性が改善されるため、リーク電流が減少し、しきい値電流が下がるとともに、高信頼性を実現できる効果。
Claim (excerpt)：
活性層がAlGaAsクラッド層に格子整合するか、もしくは歪が印加されてなるIII -V族化合物半導体材料で構成されたダブルヘテロ接合および前記AlGaAsクラッド層をリッジ形状に加工してなる導波路構造を有するとともに、導波路側面が前記クラッド層上に形成され、前記活性層よりもバンドギャップが大きく、かつ前記AlGaAsクラッド層よりも屈折率の小さなAlGaInP系材料からなる電流ブロック層で埋め込まれた半導体レーザ装置において、前記電流ブロック層をAlGaAs系材料からなる再生長界面保護層を介して形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
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