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J-GLOBAL ID：200903029787431236

絶縁膜形成方法及び半導体素子

Inventor： 森 啓
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993043308
Publication number (International publication number)：1994236873
Application date： Feb. 08, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 SiO<SB>2-X</SB>(0≦X<1)からなる良好な絶縁膜を低温かつ低真空度の条件で歩留りよく安価に形成する。【構成】 SiOの個体又は粉末を加熱蒸発させ、蒸発したSiOを気相中又は基板1上で酸素と反応させて前記SiO<SB>2-X</SB>を生成し、このSiO<SB>2-X</SB>を基板1上に付着させて前記絶縁膜を形成する。

Claim (excerpt)：

SiO<SB>2-X</SB>(0≦X<1)からなる絶縁膜を基板上に形成する絶縁膜形成方法であって、SiOの個体又は粉末を加熱蒸発させ、蒸発したSiOを気相中又は基板上で酸素と反応させて前記SiO<SB>2-X</SB>を生成し、このSiO<SB>2-X</SB>を基板上に付着させて前記絶縁膜を形成するようにしたことを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-260138
  
• 特開昭60-192347
  
• 特開昭59-217332