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J-GLOBAL ID:200903029794490108

三次元光導波路、光導波路デバイス、高調波発生装置および三次元光導波路の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 細田 益稔 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001169063
Publication number (International publication number):2002365680
Application date: Jun. 05, 2001
Publication date: Dec. 18, 2002
Summary:
【要約】【課題】基体の加工面に対して略平行な強誘電分極軸を有する強誘電性基体に光導波路を形成するのに際して、光損失が少なく、d値の高い光導波路を提供できるようにする。【解決手段】強誘電体単結晶からなる基体1であって、基体1の加工面1aに対して略平行な強誘電分極軸を有する基体1に対して、加工面1a側からプロトン交換処理して交換処理部2を形成する。交換処理部の少なくとも一部2Aを含むリッジ構造体4を形成する。次いで、交換処理部2Aを熱拡散処理することで光導波路5を得る。
Claim (excerpt):
強誘電体単結晶からなる基体であって、基体の加工面に対して略平行な強誘電分極軸を有する基体に対して、前記加工面側からプロトン交換処理して交換処理部を形成し、この交換処理部の少なくとも一部を含むリッジ構造体を形成し、次いで前記交換処理部を熱拡散処理することで得られたことを特徴とする、三次元光導波路。
IPC (3):
G02F 1/377 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/13
FI (3):
G02F 1/377 ,  G02B 6/12 H ,  G02B 6/12 M
F-Term (22):
2H047KA05 ,  2H047KA11 ,  2H047LA02 ,  2H047NA08 ,  2H047PA12 ,  2H047PA13 ,  2H047PA24 ,  2H047QA01 ,  2H047RA08 ,  2H047TA11 ,  2K002AB12 ,  2K002BA03 ,  2K002CA03 ,  2K002DA06 ,  2K002EA07 ,  2K002FA19 ,  2K002FA20 ,  2K002FA26 ,  2K002FA27 ,  2K002FA28 ,  2K002GA04 ,  2K002HA20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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