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J-GLOBAL ID：200903029794614060
SOI基板の製造方法およびSOI基板
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003109465
Publication number (International publication number)：2004319642
Application date： Apr. 14, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：
【課題】COPが存在しないシリコン単結晶であっても、酸素析出が促進されている領域を有する。そこで、この領域から加工されたシリコンウェーハを、SOI基板の活性層用のシリコンウェーハとして、酸化膜耐圧などの電気的特性を向上させて作製するSOI基板の製造方法およびSOI基板を提供する。【解決手段】COPが存在しないシリコン単結晶からシリコンウェーハを加工する。この後、このシリコンウェーハに対して、不活性ガス雰囲気で熱処理を行う。これにより、シリコンウェーハ表面から酸素を効率よく外方拡散させることができる。そして、このシリコンウェーハを活性層用のシリコンウェーハとして、SOI基板を作製する。この結果、酸素の析出が促進されている領域から加工されたシリコンウェーハであっても、SOI基板の酸化膜耐圧などの電気的特性が向上する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
絶縁層を介在させ表面側にSOI層を有するSOI基板を製造するSOI基板の製造方法において、
COPが存在しないシリコン単結晶からシリコンウェーハを作製する工程と、
このシリコンウェーハに対して絶縁層を形成させる前に不活性ガス雰囲気で熱処理する工程とを含むSOI基板の製造方法。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L27/12 B
, H01L27/12 E
, H01L21/324 X
Cited by examiner (9)
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張り合わせ基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-217368
Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社
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SOIウエハ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-195952
Applicant：東芝セラミックス株式会社
-
シリコンウェーハの熱処理方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-135066
Applicant：コマツ電子金属株式会社
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Article cited by the Patent：
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