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J-GLOBAL ID：200903029798194902

固体撮像素子

Inventor： 安藤 文彦 ,  田中 克 ,  川島 光 ,  村田 直文
Applicant, Patent owner： 日本放送協会 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994069351
Publication number (International publication number)：1995284024
Application date： Apr. 07, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高輝度被写体撮像時のブルーミングを抑制し、広範囲の照度において良好な画像が得られる固体撮像素子を得る。【構成】 光電変換素子にリセット用MOSトランジスタが直列に接続された増幅型固体撮像素子の垂直走査回路内リセット用垂直選択線の出力部として、シフトパルスを送出するシフトレジスタ12a、MOSトランジスタQpとMOSトランジスタQnとのインバータでなるドライバ回路12b、リセット用垂直選択線9にハイレベルの電位を供給するための第1の電源線12c、上記リセット用垂直選択線9にローレベルの電位を供給するための第2の電源線12dを備え、第2の電源線の電位をリセット用MOSトランジスタのしきい値以上に設定し、蓄積時にリセット用MOSトランジスタのゲートにしきい値以上の電圧を印加することで、横型のオーバーフロードレインとして働かせる。

Claim (excerpt)：

ソース領域を光電変換素子部としたリセット用の第1のMOSトランジスタと、上記光電変換素子部にゲートが接続された増幅読出用の第2のMOSトランジスタと、上記第2のMOSトランジスタに直列に接続された画素選択用の第3のMOSトランジスタとを有する画素を複数備えた固体撮像素子において、上記光電変換素子部の電荷蓄積時に、上記第1のMOSトランジスタのゲートに該MOSトランジスタのしきい値以上の電圧を印加する走査手段を備えたことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/146